Memoria Ram Kingston DDR4 3200MHz - 16GB

CARACTERÍSTICAS

Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico

VDDQ = 1,2 V típico

VPP = 2,5 V típico

VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

Terminación nominal y dinámica (ODT) para señales de datos, luz estroboscópica y máscara

Autoactualización de bajo consumo (LPASR)

Inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos

Generación y calibración de VREFDQ en la matriz

Rango único

EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2 integrada

16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno

Corte de ráfaga fija (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registro de modo (MRS)

BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)

Topología fly-by

Bus de dirección y comando de control terminado

PCB: altura 1.23 ”(31.25 mm)

Cumple con RoHS y libre de halógenos