Características
Alta resistencia
Ideal para aplicaciones comerciales y empresariales
Velocidades de hasta 3200 MT/s
Especificaciones
Módulo – 260 pines
Capacidad – 8 GB
Latencias CAS – 22-22-22
Alimentación – VDD y VDDQ = 1,2 V +0,06/-0,06 V
Alimentación de activación de DRAM – VPP = 2,5 V (+0,25 V / -0,125 V)
Temperatura de funcionamiento – 0 °C – 85 °C
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